Transistors. Page 36 sur 114. Avtronic

Transistor 2SK941

2.91€ TTC

323 En stock

Transistor 2SK941 N-MOS+D 100V 0.6A/1.8App 0.9W<1.2R. Relay Drive. Motor Drive. DC-DCConv.. Constructeur: TOS. Boîtier: TO-92MOD. (L=9mm). Tension de Drain maxi: 100 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 0.6 A. Rds (Ohms): 1.2. Courant impulsion: 1.8. Puissan

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Tarifs dégressifs

Transistor 2SK955

11.42€ TTC

Actuellement en rupture de stock

Transistor 2SK955 N-MOS 800V 5A 125W <2R(2.5A). V-MOS. MOS-N-FET. Constructeur: FEC. Tension de Drain maxi: 800 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 5 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 2.5 A. Rds (Ohms): 2. Puissance: 125 W

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Tarifs dégressifs

Transistor 2SK956

14.90€ TTC

Actuellement en rupture de stock

Transistor 2SK956 N-MOS 800V 9A/26Ap. 150W 1.0R. F-II Series POWER MOSFET. High Speed Switching. Constructeur: FEC. Boîtier: TO-3P. Tension de Drain maxi: 800 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 9 A. Rds (Ohms): 1. Courant impulsion: 26 Ap. Puissance: 150 W

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Tarifs dégressifs

Transistor 3DD13009K

5.71€ TTC

207 En stock

Transistor NPN 3DD13009K 700/400V 12A/24Ap. 100W tf: 0.7uS. Vce maxi: 400 V. Courant de collecteur maxi: 12 A. Boîtier: TO-220C. hFE: 8-40. fT:4MHz. Vce(Sat): 1.8V. Tension collecteur/base maxi: 700 V

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Tarifs dégressifs

Transistor 3DD209L

8.34€ TTC

36 En stock

Transistor bipolaire NPN 700/400V 12A/24Ap. 120W tf: 0.7uS. Constructeur új: JILIN SINO-Microelectronics Co.. Marquage boîtier: D209L. Boîtier: TO-3PN. Boîtier: TO-3PN. Tension collecteur-émetteur maxi: 400V. Vcbo: 700V. Courant de collecteur maxi: 12A. Ic(puls): 24A. Puissance: 120W. Fréquence maxi: 4MHz. tf(min): 0.7 uS. Vce(sat): 1.2V. Gai

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Tarifs dégressifs

Transistor 3DD4202BD

4.65€ TTC

7 En stock

Transistor NPN+D 800/490V 1.5A/3Ap 20W tf: 0.7uS. Constructeur: JILIN SINO-Microelectronics Co.. Marquage boîtier: 4202BD. Type de boîtier: TO-126F. Boîtier: TO126F. Transistor au silicium. 3-pin. Type de transistor: NPN. Vceo: 490V. Vcbo: 800V. Vebo: 13V. Consommation 1.5A. Puissance: 20W. Ic(puls): 3A. FT: 4MHz. Tf(min): 0.7 uS. Tf(max): 0.7 u

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Tarifs dégressifs

Transistor 3LN01SS

3.53€ TTC

10 En stock

Transistor MOSFET canal N (N-MOSFET). Tension drain-source maxi: 30V. Courant de drain maxi: 0.15A. Puissance: 0.15W. Rds <3.7 Ohms. Ultrahigh-speed switching. Boîtier: SSFP.

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Tarifs dégressifs

Transistor AF239S

1.85€ TTC

24 En stock

Transistor bipolaire PNP (au germanium). UHF 20V 700MHz.

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Tarifs dégressifs

Transistor AF379

1.85€ TTC

33 En stock

Transistor PNP au Germanium UHF 1250MHz.

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Tarifs dégressifs

Transistor AF4502C

7.84€ TTC

240 En stock

Transistor AF4502C N&P-MOS DUAL 30V 10A & 8.5A 2.1W. MOS-N&P-FET. rDS(on)Q1:0.011R & Q2:0.016R. Constructeur: ANACH. Boîtier: CMS SO-8

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Tarifs dégressifs

Transistor ALF08N20V

45.08€ TTC

Actuellement en rupture de stock

Transistor MOSFET canal N 200V 8A 125W 100/50nS. Constructeur: SEMELAB. Boîtier: TO247. Transistor FET: MOS. 3-pin. Type de canal: Canal N. Vds(max): 200V. Id(T:25): 8A. Puissance: 125 W. Idss (min): 10mA. Idss (max): 10mA. Vgs: 14V. Diode de protection intégrée: Diode. C (in): 500pF. C (out): 300pF. Td(on): 100ns. Td(off): 50ns. Plage de tempé

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Tarifs dégressifs

Transistor ALF08P20V

45.08€ TTC

7 En stock

Transistor MOSFET canal P 200V 8A 125W 100/50nS. Constructeur: SEMELAB. Boîtier: TO247. Transistor FET: MOS. 3-pin. Type de canal: Canal P. Vds(max): 200V. Id(T:25): 8A. Puissance: 125 W. Idss (min): 10mA. Idss (max): 10mA. Vgs: 14V. Diode de protection intégrée: Diode. C (in): 500pF. C (out): 300pF. Td(on): 100ns. Td(off): 50ns. Plage de tempé

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Tarifs dégressifs

Transistor AO3400A

1.12€ TTC

753 En stock

Transistor CMS MOSFET canal N 30V 5.7A. Boîtier: SOT-23 (TO-236). Vds(max): 30V. Id(@25ºC): 5.7A. Puissance: 1.4W. Résistance Rds: 22 milliOhms.

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Tarifs dégressifs

Transistor AO3401A

1.12€ TTC

363 En stock

Transistor CMS MOSFET canal P (P-MOSFET) 30V 4.3A. Référence d'origine constructeur: AO3401A. Boîtier: SOT-23 (TO-236). Vds(max): 30V. Id(@25ºC): 4.3A. Puissance: 1.4W. Résistance Rds: 36 milliOhms.

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Tarifs dégressifs

Transistor AO3404A

1.23€ TTC

140 En stock

Transistor CMS MOSFET canal N 30V 5.8A. Boîtier: SOT-23. Vds(max): 30V. Id(@25ºC): 5.8A. Puissance: 1.4W. Résistance Rds: 23.4 milliOhms.

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Tarifs dégressifs

Transistor MOSFET canal-N CMS AO3407A

8.12€ TTC

96 En stock

Transistor MOSFET canal-N CMS 30V 4.1A/25Ap 1.4W. Résistance passante RDSon : 0.52 Ohms (4.1A)

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Tarifs dégressifs

Transistor AO3416

1.57€ TTC

220 En stock

Transistor MOSFET canal N (N-MOSFET)+Z CMS 20V 6.5A. Boîtier: SOT-23. Vds(max): 20V. Id(@25ºC): 6.5A. Puissance: 1.4W. Résistance Rds: 18 milliOhms.

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Tarifs dégressifs

Transistor AO4407

3.98€ TTC

Actuellement en rupture de stock

Transistor CMS MOSFET canal P (P-MOSFET). Tension maxi: 30V. Courant de drain maxi: 12A. Puissance: 3W. Résistance passante: 0.011 Ohms. Boîtier: SO8. Marquage CMS: 4407.

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Tarifs dégressifs

Transistor AO4407A

1.96€ TTC

211 En stock

Transistor CMS MOSFET canal P (P-MOSFET). Tension maxi: 30V. Courant de drain maxi: 9.2A. Puissance: 1.7W. Résistance passante: 0.008 Ohms. Boîtier: SO8. Marquage CMS: 4407A.

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Tarifs dégressifs

Transistor AO4427

3.19€ TTC

341 En stock

Transistor CMS MOSFET canal P (P-MOSFET). Tension maxi: 30V. Courant de drain maxi: 12.5A. Puissance: 3W. Résistance passante: 0.0094 Ohms. Boîtier: SO8.

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Tarifs dégressifs

Transistor AO4430

2.91€ TTC

65 En stock

Transistor MOSFET canal N CMS 30V 18A/80Ap 3W 0.0047R (15A). Constructeur: Alpha - Omega Semiconductors. Type de boîtier: SO. Boîtier: SO-8. Transistor FET: MOS. 8-pin. Type de canal: Canal N. Vds(max): 30V. Id(T:25): 18A. Puissance: 3 W. Id(T:100): 15A. Id(imp): 80 Ap. Idss (min): 1 uA. Idss (max): 5 uA. Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 1V. Vgs(th) max.:

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Tarifs dégressifs

Transistors

Transistor 2SK941

Transistor 2SK941 N-MOS+D 100V 0.6A/1.8App 0.9W<1.2R. Relay Drive. Motor Drive. DC-DCConv.. Constructeur: TOS. Boîtier: TO-92MOD. (L=9mm). Tension de Drain maxi: 100 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 0.6 A. Rds (Ohms): 1.2. Courant impulsion: 1.8. Puissan

Transistor 2SK955

Transistor 2SK955 N-MOS 800V 5A 125W <2R(2.5A). V-MOS. MOS-N-FET. Constructeur: FEC. Tension de Drain maxi: 800 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 5 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 2.5 A. Rds (Ohms): 2. Puissance: 125 W

Transistor 2SK956

Transistor 2SK956 N-MOS 800V 9A/26Ap. 150W 1.0R. F-II Series POWER MOSFET. High Speed Switching. Constructeur: FEC. Boîtier: TO-3P. Tension de Drain maxi: 800 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 9 A. Rds (Ohms): 1. Courant impulsion: 26 Ap. Puissance: 150 W

Transistor 3DD13009K

Transistor NPN 3DD13009K 700/400V 12A/24Ap. 100W tf: 0.7uS. Vce maxi: 400 V. Courant de collecteur maxi: 12 A. Boîtier: TO-220C. hFE: 8-40. fT:4MHz. Vce(Sat): 1.8V. Tension collecteur/base maxi: 700 V

Transistor 3DD209L

Transistor 3DD4202BD

Transistor 3LN01SS

Transistor MOSFET canal N (N-MOSFET). Tension drain-source maxi: 30V. Courant de drain maxi: 0.15A. Puissance: 0.15W. Rds <3.7 Ohms. Ultrahigh-speed switching. Boîtier: SSFP.

Transistor AF239S

Transistor bipolaire PNP (au germanium). UHF 20V 700MHz.

Transistor AF379

Transistor PNP au Germanium UHF 1250MHz.

Transistor AF4502C

Transistor AF4502C N&P-MOS DUAL 30V 10A & 8.5A 2.1W. MOS-N&P-FET. rDS(on)Q1:0.011R & Q2:0.016R. Constructeur: ANACH. Boîtier: *CMS SO-8*

Transistor ALF08N20V

Transistor ALF08P20V

Transistor AO3400A

Transistor CMS MOSFET canal N 30V 5.7A. Boîtier: SOT-23 (TO-236). Vds(max): 30V. Id(@25ºC): 5.7A. Puissance: 1.4W. Résistance Rds: 22 milliOhms.

Transistor AO3401A

Transistor CMS MOSFET canal P (P-MOSFET) 30V 4.3A. Référence d'origine constructeur: AO3401A. Boîtier: SOT-23 (TO-236). Vds(max): 30V. Id(@25ºC): 4.3A. Puissance: 1.4W. Résistance Rds: 36 milliOhms.

Transistor AO3404A

Transistor CMS MOSFET canal N 30V 5.8A. Boîtier: SOT-23. Vds(max): 30V. Id(@25ºC): 5.8A. Puissance: 1.4W. Résistance Rds: 23.4 milliOhms.

Transistor MOSFET canal-N CMS AO3407A

Transistor MOSFET canal-N CMS 30V 4.1A/25Ap 1.4W. Résistance passante RDSon : 0.52 Ohms (4.1A)

Transistor AO3416

Transistor MOSFET canal N (N-MOSFET)+Z CMS 20V 6.5A. Boîtier: SOT-23. Vds(max): 20V. Id(@25ºC): 6.5A. Puissance: 1.4W. Résistance Rds: 18 milliOhms.

Transistor AO4407

Transistor CMS MOSFET canal P (P-MOSFET). Tension maxi: 30V. Courant de drain maxi: 12A. Puissance: 3W. Résistance passante: 0.011 Ohms. Boîtier: SO8. Marquage CMS: 4407.

Transistor AO4407A

Transistor CMS MOSFET canal P (P-MOSFET). Tension maxi: 30V. Courant de drain maxi: 9.2A. Puissance: 1.7W. Résistance passante: 0.008 Ohms. Boîtier: SO8. Marquage CMS: 4407A.

Transistor AO4427

Transistor CMS MOSFET canal P (P-MOSFET). Tension maxi: 30V. Courant de drain maxi: 12.5A. Puissance: 3W. Résistance passante: 0.0094 Ohms. Boîtier: SO8.

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